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eDRAM più veloce al mondo

IBM ha annunciato un prototipo di chip di memoria sviluppato col processo produttivo SOI (Silicon On Insulator) a 32nm offrendo minor consumi.

Questa tecnologia permette di garantire un incrimento prestazionale pari al 30% e una riduzione del consumo energetico del 40% grazie ad una nuova protezione che consente di proteggiere ed isolare i transitor sul chip favorendo una minore dispersione di energia rendendo il circuito molto più efficiente.
- Pirro Jacopo -

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